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TY10Depolab200經(jīng)濟(jì)型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備ZX21

TY10

Depolab200經(jīng)濟(jì)型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

ZX21
Depolab200經(jīng)濟(jì)型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
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Depolab200經(jīng)濟(jì)型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備Cost-effectiveness 經(jīng)濟(jì)實惠 
PECVD plasma deposition tool Depolab 200 combines parallel plate plasma source design with direct load. 
PECVD 等離子沉積機(jī)臺Depolab 200延續(xù)了帶有直接裝載裝置的平行板等離子源的設(shè)計。 
Upgradeability 升級能力 
基于模塊化的設(shè)計,Depolab 200可以用增加更大的泵、低頻電源和附加氣路等方法升級。 
SENTECH control software SENTECH控制軟件 
控制軟件包括模擬用戶界面,參數(shù)窗口,工藝程序編輯器,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。 

Depolab 200是具有SENTECH平板電極設(shè)計優(yōu)勢的PECVD機(jī)臺,可實現(xiàn)2至8寸晶圓及小樣品的標(biāo)準(zhǔn)工藝,并可通過升級滿足復(fù)雜工藝要求。 
Depolab 200在結(jié)構(gòu)、可靠性和軟硬件靈活性上均有杰出的的設(shè)計。在此系統(tǒng)上研發(fā)出不同的工藝,例如高質(zhì)量氧化硅和氮化硅膜工藝。Depolab 200由帶氣源箱的反應(yīng)器、控制電路、計算機(jī)、初級泵和主接線箱組成。 
Depolab 200等離子沉積機(jī)臺適用于SiO2, SiNx, SiONx和a-Si薄膜的沉積,最高溫度為400°C。Depolab尤其適用于沉積刻蝕掩膜用介質(zhì)膜、薄膜和介電膜的沉積。 
The Depolab 200可以通過用戶友好的SENTECH控制軟件界面進(jìn)行遠(yuǎn)程操作。

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